截至2025年12月5日 11點(diǎn)07分，上證科創(chuàng)板半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)上漲0.03%，成分股中科飛測上漲3.53%，和林微納上漲3.22%，艾森股份上漲2.70%，新益昌上漲2.17%，中船特氣上漲1.79%?？苿?chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）下跌0.21%，最新報(bào)價(jià)1.4元。

截至2025年12月5日 11點(diǎn)12分，中證半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)上漲0.01%，成分股有研新材上漲3.65%，中科飛測上漲3.40%，艾森股份上漲2.58%，中微公司上漲1.90%，中船特氣上漲1.66%。半導(dǎo)體材料ETF（562590）下跌0.20%，最新報(bào)價(jià)1.52元。

消息面上，九峰山實(shí)驗(yàn)室新發(fā)布科技成果氮化鎵電源模塊——用100萬個(gè)指甲蓋大小的“黑盒子”，裝入一座容量1吉瓦（10億瓦）的超大型AI算力中心機(jī)柜里，一年可省近3億度電，約合2.4億元電費(fèi)。團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人表示，該成果目前已完成概念驗(yàn)證，即將開始中試驗(yàn)證，預(yù)計(jì)3-5年內(nèi)量產(chǎn)，屆時(shí)可滿足千億級市場需求。

氮化鎵是第三代半導(dǎo)體材料。若把硅基氮化鎵芯片裝入電源模塊中，替代傳統(tǒng)電源模塊芯片使用的硅材料，可實(shí)現(xiàn)用電損耗降低30%，還能使模塊體積縮小30%，成本也降至硅的一半。華創(chuàng)證券表示，傳統(tǒng)硅基材料已接近工藝極限，高效能需求驅(qū)動(dòng)氮化鎵等第三代半導(dǎo)體高速增長。

相關(guān)ETF：公開信息顯示， 科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）及其聯(lián)接基金（A類：024417；C類：024418）跟蹤上證科創(chuàng)板半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)，囊括科創(chuàng)板中 半導(dǎo)體設(shè)備（61%）和半導(dǎo)體材料（23%）細(xì)分領(lǐng)域的硬科技公司。 半導(dǎo)體設(shè)備和材料行業(yè)是重要的國產(chǎn)替代領(lǐng)域，具備國產(chǎn)化率較低、國產(chǎn)替代天花板較高屬性，受益于人工智能革命下的半導(dǎo)體需求，擴(kuò)張、科技重組并購浪潮、光刻機(jī)技術(shù)進(jìn)展。

半導(dǎo)體材料ETF（562590）及其聯(lián)接基金（A類：020356、C類：020357），指數(shù)中半導(dǎo)體設(shè)備（61%）、半導(dǎo)體材料（21%）占比靠前，充分聚焦半導(dǎo)體上游。