7月8日，受利好事件驅(qū)動(dòng)，半導(dǎo)體材料盤(pán)中持續(xù)上揚(yáng)。截至10點(diǎn)18分，中證半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)（931743）上漲0.91%，成分股至純科技上漲4.34%，雅克科技上漲3.88%，晶瑞電材上漲2.48%，江化微上漲2.31%，江豐電子上漲2.28%。半導(dǎo)體材料ETF（562590）上漲1.00%，最新價(jià)報(bào)1.11元。流動(dòng)性方面，半導(dǎo)體材料ETF盤(pán)中換手10.49%，成交3486.28萬(wàn)元，市場(chǎng)交投活躍。規(guī)模方面，半導(dǎo)體材料ETF近1周規(guī)模與份額實(shí)現(xiàn)顯著增長(zhǎng)，新增規(guī)模、份額位居可比基金首位。

消息方面，7月7日，中國(guó)證監(jiān)會(huì)官網(wǎng)顯示，國(guó)產(chǎn)DRAM內(nèi)存廠(chǎng)商長(zhǎng)鑫科技集團(tuán)股份有限公司（下稱(chēng)“長(zhǎng)鑫科技”）啟動(dòng)上市輔導(dǎo)，輔導(dǎo)機(jī)構(gòu)為中金公司和中信建投證券。據(jù)澎湃新聞，在此次上市前，該公司已獲得包括國(guó)家大基金在內(nèi)的多輪重磅投資，2024年3月最新一輪融資估值已達(dá)1508億元。

中信證券指出， 國(guó)內(nèi)最大的DRAM存儲(chǔ)企業(yè)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)啟動(dòng)上市輔導(dǎo)，DRAM存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)被韓美廠(chǎng)商壟斷，長(zhǎng)鑫的技術(shù)在加速迭代追趕全球先進(jìn)水平，產(chǎn)能在2024年實(shí)現(xiàn)翻倍增長(zhǎng)。未來(lái)長(zhǎng)鑫上市有望持續(xù)拉動(dòng)擴(kuò)產(chǎn)，設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率有望逐步提升。

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)與長(zhǎng)江存儲(chǔ)作為國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片雙雄，華安證券表示， 兩家企業(yè)的崛起不僅推動(dòng)國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)技術(shù)升級(jí)，更在保障國(guó)家信息安全、降低進(jìn)口依賴(lài)方面發(fā)揮關(guān)鍵作用，是國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片自主可控的重要代表。

半導(dǎo)體材料ETF（562590）緊密跟蹤中證半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)，該指數(shù)精選40只業(yè)務(wù)深度覆蓋半導(dǎo)體材料與半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的上市公司證券作為樣本。指數(shù)成分股中匯聚了多家在國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程中表現(xiàn)突出的龍頭企業(yè)——例如在刻蝕設(shè)備領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)技術(shù)突破的北方華創(chuàng)、中微公司，以及在硅片、電子化學(xué)品等關(guān)鍵材料環(huán)節(jié)打破海外壟斷的滬硅產(chǎn)業(yè)、南大光電等，樣本股的篩選既聚焦行業(yè)核心賽道，充分體現(xiàn)了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主化升級(jí)的發(fā)展趨勢(shì)，反映半導(dǎo)體材料和設(shè)備上市公司證券的整體表現(xiàn)。

半導(dǎo)體材料ETF（562590），場(chǎng)外聯(lián)接（華夏中證半導(dǎo)體材料設(shè)備主題ETF發(fā)起式聯(lián)接A：020356；華夏中證半導(dǎo)體材料設(shè)備主題ETF發(fā)起式聯(lián)接C：020357）。