每日經濟新聞 2025-03-18 16:56:55
每經AI快訊，3月18日，宏微科技(688711.SH)發(fā)布投資者關系活動記錄表公告稱，近年來，公司第三代半導體取得了多項技術突破。在電動汽車領域，車規(guī)級1200V SiC自研模塊正在研制中，對應的銀燒結工藝已通過可靠性驗證。在封裝市場，SiC混合模塊已在新能源汽車、UPS電源等領域應用。同時，1200V SiC MOSFET芯片研制成功并已通過可靠性驗證并實現(xiàn)小批量出貨；自主研發(fā)的SiC SBD（肖特基勢壘二極管）芯片通過多家終端客戶可靠性驗證和系統(tǒng)級驗證，部分產品已形成小批量出貨。
如需轉載請與《每日經濟新聞》報社聯(lián)系。
未經《每日經濟新聞》報社授權，嚴禁轉載或鏡像，違者必究。
讀者熱線：4008890008
特別提醒：如果我們使用了您的圖片，請作者與本站聯(lián)系索取稿酬。如您不希望作品出現(xiàn)在本站，可聯(lián)系我們要求撤下您的作品。
歡迎關注每日經濟新聞APP
Copyright ? 2025 每日經濟新聞報社版權所有，未經許可不得轉載使用，違者必究。
廣告熱線? 北京: 010-57613265，?上海: 021-61283008，?廣州: 020-84201861，?深圳: 0755-83520159，?成都: 028-86512112
