新型薄膜半導體電子遷移速度創(chuàng)紀錄

2024-07-18 07:34:42

每經AI快訊，據美國趣味科學網站16日報道，來自美國麻省理工學院、美國陸軍作戰(zhàn)能力發(fā)展司令部（DEVCOM）陸軍研究實驗室和加拿大渥太華大學等機構的科學家，利用名為三元石英的晶體材料，成功研制出一種新型超薄晶體薄膜半導體。薄膜厚度僅100納米，約為人頭發(fā)絲直徑的千分之一。其中電子的遷移速度創(chuàng)下新紀錄，約為傳統半導體的7倍。這一成果有助科學家研制新型高效電子設備。相關論文發(fā)表于《今日材料物理學》雜志。（科技日報）

責編張喜威

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